東莞納鋒微電子裝備有限公司基于東莞同濟大學研究院平臺，于2018年1月孵化創辦。公司位于廣東省東莞市美麗的松山湖高新園區，與華為隔湖相望。東莞納鋒微電子裝備有限公司是專注于先進薄膜沉積裝備的開發、設計、生產和服務的高科技企業。納鋒的核心技術是先進的原子層沉積裝備（Atomic Layer Deposition，ALD），為新能源、柔性電子、光學鍍膜、半導體和納米技術等領域薄膜的研發和生產提供整體解決方案。公司同時提供與原子層沉積技術相關的技術咨詢、技術培訓、技術開發及鍍膜代工等服務。.....<詳情>

原子層沉積技術（Atomic Layer Deposition，ALD）是一層一層將原子沉積在底物上的技術，它最大的優勢是可以在原子級別上控制沉積膜的形成以及生長以及對于深寬比很高的材料比如沸石都有著很好的沉積性。利用它，可以極好的復制材料的三維結構。多年來，原子層淀積技術的應用范圍涉及從液晶顯示面板(LCD panel)到工業涂層等多種領域，目前，該技術正被開拓到先進微電子制造工藝中，例如制備用于晶體管柵堆垛及電容器中的高k介質和金屬薄膜、銅阻擋/籽晶膜、刻蝕終止層、多種間隙層和薄膜擴散阻擋層、磁頭以及非揮發存儲器等。 ALD 相比傳統的MOCVD和PVD等淀積工藝具有先天的優勢。它充分利用表面飽和反應（surface saturation reactions），天生具備厚度控制和高度的穩定性能，對溫度和反應物通量的變化不太敏感。這樣得到的薄膜既具有高純度又具有高密度，既平整又具有高 度的保型性，即使對于縱寬比高達100:1的結構也可實現良好的階梯覆蓋。ALD也順應工業界向更低的熱預算發展的趨勢，多數工藝都可以在400攝氏度以 下進行，而傳統的化學氣相淀積工藝要在500攝氏度以上完成。