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    ALD的應用
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    ALD在納米材料方面的應用

    時間:2021/1/4 14:48:16

    由于ALD技術對于薄膜生長的精確控制,可使薄膜厚度達到院子層級,因此ALD技術在納米科技方面應用很廣泛,包括中空納米管,納米孔道尺寸的控制,高深比納米圖形,納米顆粒和納米管涂層,量子點涂層,光子晶體等。

    姚宗妮等首先利用聚焦離子束在Si3N4薄膜刻蝕直徑大于20nm的納米陣列,然后利用ALD系統在Si3N4薄膜上沉積Al2O3。為了保證高質量Al2O3的沉積,他們采用了250℃的沉積工藝,對于沉積速率約為0.1nm循環。圖7給出了沉積薄膜前后的納米孔的TEM圖。圖中清楚的顯示出隨著沉積厚度的增加,孔的直徑縮小近1/3。圖7a)為沉積Al2O3之前的納米孔,直徑約為30nm,圖7b)為沉積Al2O35個循環后的納米孔的TEM圖像,直徑約為25nm,圖(c)為沉積了7個循環后的納米孔的TEM圖像,直徑縮小為約20nm。因此可證明利用ALD的方式在Si3N4薄膜上沉積Al2O3薄膜,能夠逐漸將納米孔的直徑縮小,達到有效縮孔目的。
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