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原子層沉積(ALD)是通過將氣相前驅體脈沖交替的通入反應腔室并沉積基體上,通過化學吸附形成陳寂膜的一種方法。 當前驅體達到沉積基體表面,它們會在其表面化學吸附并發生表面反應。 ...
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