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    • ALD在納米材料方面的應用

      由于ALD技術對于薄膜生長的精確控制,可使薄膜厚度達到院子層級,因此ALD技術在納米科技方面應用很廣泛,包括中空納米管,納米孔道尺寸的控制,高深比納米圖形,納米顆粒和納米管涂層,量子點涂層,光子晶體等。 姚宗妮等首先利用聚焦離子束在Si3N4薄膜刻蝕直徑大于20nm的納米陣列,然后利用ALD系統在Si3N4薄膜上沉積Al2O3。為了保證高質量Al2O3的沉積,他們采用了250℃的沉積工藝,對于沉積速率約為0.1nm循環。圖7給出了沉積薄膜前后的納米孔的TEM圖。圖中清楚的顯示出隨著沉積厚度的增加,孔的直徑縮小近1/3。圖7(a)為沉積Al2O3之前的納米孔,直徑約為30nm,圖7(...

    • ALD的基本原理

      原子層沉積(ALD)是通過將氣相前驅體脈沖交替的通入反應腔室并沉積基體上,通過化學吸附形成陳寂膜的一種方法。   當前驅體達到沉積基體表面,它們會在其表面化學吸附并發生表面反應。 ...

    • ALD在粉體鍍膜的技術瓶頸

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    • ALD的發展前景 ALD的發展前景

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    • ALD在半導體領域的應用

      利用ALD方法可以沉積高質量的高K薄膜材料,F有研究熱點有Al2O3,TiO2,HfO2等,其中有實驗已證明,往HfO2中摻入Si、N、Al可有效提高HfO2的晶化溫度。    王強等用ALD方法在P-Si襯底上制備疊柵結構TiO2/Si3N4高介電常數柵介質薄膜。透射電子顯微鏡的結果顯示TiO2高介電常數柵介質層厚度為6.0nm,Si3N4過渡層的厚度為0.9nm。X射線光電子能譜儀的檢測發現C、N等外來雜質沒有進入良好的阻止SiO2形成的能力。通過IV曲線的對比,TiO2/ Si3N4的漏電流有明顯的改善。上述特性表明,ALD制備的新型超薄TiO2/ ...

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